| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTS4001NT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-323-3 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:30V 电流:270mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):270mA 功率(Pd):330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA 这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。 |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA |
| 功率(Pd) | 330mW |
| 编号 | 编号: C116738 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTS4001NT1G
¥0.6699
库存 65 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.6699 |
| 10 - 99 | ¥0.6029 |
| 100 - 999 | ¥0.5694 |
| 1000 + | ¥0.5359 |