| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NVD2955T4G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DPAK-3 |
| 描述 | 描述:可承受雪崩和换相模式下高能量的汽车用功率MOSFET。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。AEC-Q101认证MOSFET且具备生产件批准程序(PPAP)功能，适用于汽车应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 55W |
| 连续漏极电流(Id) | 180mΩ |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C5205656 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
NVD2955T4G
¥4.0700
库存 1976 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.0700 |
| 10 - 99 | ¥3.6630 |
| 100 - 999 | ¥3.4595 |
| 1000 + | ¥3.2560 |