| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NVGS5120PT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TSOP-6-1.5mm |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:60V 电流:2.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.1A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):72mΩ@10V,2.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
| 功率(Pd) | 1.1W |
| 编号 | 编号: C604548 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NVGS5120PT1G
¥3.6100
库存 22000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.6100 |
| 10 - 99 | ¥3.2490 |
| 100 - 999 | ¥3.0685 |
| 1000 + | ¥2.8880 |