| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NVJD4152PT1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-88 |
| 描述 | 描述:适用于低功率应用的汽车用功率MOSFET。20V，260mΩ，双P沟道MOSFET，带ESD防护，采用SC-88封装。通过AEC-Q101认证的MOSFET，符合生产件批准程序(PPAP)，适用于汽车应用。 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA |
| 功率(Pd) | 272mW |
| 编号 | C417285 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NVJD4152PT1G
¥1.1275
库存 2 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.1275 |
| 10 - 99 | ¥1.0148 |
| 100 - 999 | ¥0.9584 |
| 1000 + | ¥0.9020 |