| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NVJD4401NT1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-88-6 |
| 描述 | 描述:汽车功率MOSFET。此双N沟道器件使用小占位封装(2x2mm)和安森美半导体的领先平面工艺，可减小占位，提高能效。通过AEC-Q101认证的MOSFET，符合生产件批准程序(PPAP)，适用于汽车应用。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA |
| 功率(Pd) | 270mW |
| 编号 | C894164 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NVJD4401NT1G
¥2.6040
库存 9 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.6040 |
| 10 - 99 | ¥2.3436 |
| 100 - 999 | ¥2.2134 |
| 1000 + | ¥2.0832 |