| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NVR5124PLT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:60V 电流:1.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.1A 功率(Pd):470mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 汽车用功率 MOSFET。60V，230 mΩ，单 N 沟道 逻辑电平，SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A |
| 功率(Pd) | 470mW |
| 编号 | 编号: C417287 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NVR5124PLT1G
¥1.4100
库存 4450 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.4100 |
| 10 - 99 | ¥1.2690 |
| 100 - 999 | ¥1.1985 |
| 1000 + | ¥1.1280 |