| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NXH100B120H3Q0STG |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: – |
| 描述 | 描述: Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. |
| IGBT类型 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C906586 |
| 圆盘 | 24个/托盘 |
Sold out
NXH100B120H3Q0STG
¥1,257.2000
无货