产品属性 | 属性值 |
型号 | PD57018S-E |
品牌 | STMicroelectronics |
封装 | PowerSO-10RF-2 |
描述 | MOSFET RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 760 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | – 20 V, + 20 V |
Pd-功率耗散 | 31.7 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | – 20 V, + 20 V |
Qg-栅极电荷 | – |
最小工作温度 | – 65 C |
最大工作温度 | + 165 C |
PD57018S-E
¥229.8420
库存 650 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥229.8420 |
10 - 99 | ¥206.8578 |
100 - 999 | ¥195.3657 |
1000 + | ¥183.8736 |