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PMPB09R1XNX

¥3.4126

库存 2900 件
数量 价格
1 - 9 ¥3.4126
10 - 99 ¥3.0713
100 - 999 ¥2.9007
1000 + ¥2.7301

产品属性 属性值
型号 PMPB09R1XNX
品牌 Nexperia
封装 DFN2020M-6-8
描述 MOSFET MOS DISCRETES
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 30 V
Id-连续漏极电流 13 A
Rds On-漏源导通电阻 20.1 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 12 V, + 12 V
Pd-功率耗散 3 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 12 V, + 12 V
Qg-栅极电荷 12.2 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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