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R6007KND3TL1

¥12.3622

库存 5000 件
数量 价格
1 - 9 ¥12.3622
10 - 99 ¥11.1260
100 - 999 ¥10.5079
1000 + ¥9.8898

产品属性 属性值
型号 R6007KND3TL1
品牌 ROHM Semiconductor
封装 DPAK-3 (TO-252-3)
描述 MOSFET MOSFET 600V NCH 7A TO-252
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 7 A
Rds On-漏源导通电阻 620 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 78 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 14.5 nC
最小工作温度
最大工作温度 + 150 C

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