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RD3R02BBHTL1

¥14.0798

库存 5000 件
数量 价格
1 - 9 ¥14.0798
10 - 99 ¥12.6718
100 - 999 ¥11.9678
1000 + ¥11.2638

产品属性 属性值
型号 RD3R02BBHTL1
品牌 ROHM Semiconductor
封装 TO-252-2
描述 MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 150 V
Id-连续漏极电流 20 A
Rds On-漏源导通电阻 81 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 50 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 12.4 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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