| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RFD14N05LSM9A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此类N沟道功率MOSFET是使用MegaFET工艺生产的。此工艺使用接近LSI集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在3V到5V电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平(5V)集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为TA09870。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 14A |
| 功率(Pd) | 48W |
| 编号 | C464112 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
RFD14N05LSM9A
¥3.5211
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.5211 |
| 10 - 99 | ¥3.1690 |
| 100 - 999 | ¥2.9929 |
| 1000 + | ¥2.8169 |