产品属性 | 属性值 |
型号 | RFD14N05SM9A |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-252 |
描述 | 描述:此类N沟道功率MOSFET是使用MegaFET工艺生产的。此工艺使用接近LSI集成电路的特性尺寸,可实现硅的优化利用,因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为TA09770。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流(Id) | 14A |
功率(Pd) | 48W |
编号 | C464113 |
圆盘 | 2500个/圆盘 |

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RFD14N05SM9A
¥3.1000
无货