| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RFD16N06LESM9A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DPAK-3 |
| 描述 | 描述:这些N沟道功率MOSFET采用现代工艺生产。此工艺使用接近LSI集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。这些器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及双极晶体管的发射器开关等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在3V到5V范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电平(5V)集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为TA49027。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 功率(Pd) | 90W |
| 编号 | C887755 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
RFD16N06LESM9A
¥12.6400
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥12.6400 |
| 10 - 99 | ¥11.3760 |
| 100 - 999 | ¥10.7440 |
| 1000 + | ¥10.1120 |