欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

RFD3055LESM9A

¥3.8000

库存 475 件
数量 价格
1 - 9 ¥3.8000
10 - 99 ¥3.4200
100 - 999 ¥3.2300
1000 + ¥3.0400
产品属性 属性值
型号 RFD3055LESM9A
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:DPAK-3
描述 描述:此类N沟道增强模式功率MOSFET使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近LSI电路的特性尺寸,可实现硅的优化利用,因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为TA49158。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 11A
功率(Pd) 38W
编号 C236921
圆盘 2500个/圆盘

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart