产品属性 | 属性值 |
型号 | RFD3055LESM9A |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:DPAK-3 |
描述 | 描述:此类N沟道增强模式功率MOSFET使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近LSI电路的特性尺寸,可实现硅的优化利用,因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为TA49158。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 11A |
功率(Pd) | 38W |
编号 | C236921 |
圆盘 | 2500个/圆盘 |

RFD3055LESM9A
¥3.8000
库存 475 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥3.8000 |
10 - 99 | ¥3.4200 |
100 - 999 | ¥3.2300 |
1000 + | ¥3.0400 |