| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RFD3055LESM9A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DPAK-3 |
| 描述 | 描述:此类N沟道增强模式功率MOSFET使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近LSI电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为TA49158。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| 功率(Pd) | 38W |
| 编号 | C236921 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
RFD3055LESM9A
¥3.8000
库存 475 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.8000 |
| 10 - 99 | ¥3.4200 |
| 100 - 999 | ¥3.2300 |
| 1000 + | ¥3.0400 |