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RGT30TM65DGC9

¥22.0463

库存 3895 件
数量 价格
1 - 9 ¥22.0463
10 - 99 ¥19.8417
100 - 999 ¥18.7394
1000 + ¥17.6370
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产品属性 属性值
型号 RGT30TM65DGC9
品牌 ROHM Semiconductor
封装 TO-220-3
描述 IGBT 晶体管 RGT30TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector – emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder.
系列
发射极最大电压 650 V
射极饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 – 30 V, 30 V
连续集电极电流 14 A
Pd-功率耗散 32 W
最小工作温度 – 40 C
最大工作温度 + 175 C
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