| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RGT8NS65DGTL |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 封装 | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 描述 | IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench |
| 系列 | RGT8NS65D |
| 发射极最大电压 | 650 V |
| 射极饱和电压 | 1.65 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 30 V, 30 V |
| 连续集电极电流 | 8 A |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
RGT8NS65DGTL
库存 900 件
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RGT8NS65DGTL |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 封装 | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 描述 | IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench |
| 系列 | RGT8NS65D |
| 发射极最大电压 | 650 V |
| 射极饱和电压 | 1.65 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 30 V, 30 V |
| 连续集电极电流 | 8 A |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |