| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | RGW50TS65DGC11 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 封装 | TO-247N-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 650V 25A Field Stop Trench IGBT |
| 系列 | |
| 发射极最大电压 | 650 V |
| 射极饱和电压 | 1.9 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 30 V, 30 V |
| 连续集电极电流 | 50 A |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
RGW50TS65DGC11
¥43.9344
库存 444 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥43.9344 |
| 10 - 99 | ¥39.5410 |
| 100 - 999 | ¥37.3442 |
| 1000 + | ¥35.1475 |