产品属性 | 属性值 |
型号 | SGT120R65AL |
品牌 | STMicroelectronics |
封装 | PowerFLAT-8 |
描述 | MOSFET 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | – 10 V, + 6 V |
Pd-功率耗散 | 192 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | – 10 V, + 6 V |
Qg-栅极电荷 | 3 nC |
最小工作温度 | – 55 C |
最大工作温度 | + 155 C |
SGT120R65AL
¥42.3072
库存 903 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥42.3072 |
10 - 99 | ¥38.0765 |
100 - 999 | ¥35.9611 |
1000 + | ¥33.8458 |