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SI2312BDS-T1-BE3

¥4.7234

库存 346645 件
数量 价格
1 - 9 ¥4.7234
10 - 99 ¥4.2511
100 - 999 ¥4.0149
1000 + ¥3.7787

产品属性 属性值
型号 SI2312BDS-T1-BE3
品牌 Vishay / Siliconix
封装 SOT-23-3
描述 MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S)
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 20 V
Id-连续漏极电流 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻 31 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 8 V, + 8 V
Pd-功率耗散 750 mW
Vgs th-栅源极阈值电压 – 8 V, + 8 V
Qg-栅极电荷 7.5 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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