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SI2319DS-T1-BE3

¥5.8534

库存 58272 件
数量 价格
1 - 9 ¥5.8534
10 - 99 ¥5.2681
100 - 999 ¥4.9754
1000 + ¥4.6827

产品属性 属性值
型号 SI2319DS-T1-BE3
品牌 Vishay / Siliconix
封装 SOT-23-3
描述 MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 40 V
Id-连续漏极电流 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻 82 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 750 mW
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 11.3 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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