| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:30V 电流:11.4A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):11.4A 功率(Pd):2.5W；5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,9.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | 编号: C10491 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4435DDY-T1-GE3
¥1.2245
库存 5930 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.2245 |
| 10 - 99 | ¥1.1021 |
| 100 - 999 | ¥1.0408 |
| 1000 + | ¥0.9796 |