| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | C10491 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4435DDY-T1-GE3
¥1.1199
库存 6185 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.1199 |
| 10 - 99 | ¥1.0079 |
| 100 - 999 | ¥0.9519 |
| 1000 + | ¥0.8959 |
¥1.1199
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.1199 |
| 10 - 99 | ¥1.0079 |
| 100 - 999 | ¥0.9519 |
| 1000 + | ¥0.8959 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | C10491 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |