| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4490DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.85A |
| 功率(Pd) | 1.56W |
| 编号 | C3279827 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4490DY-T1-GE3
¥9.3951
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.3951 |
| 10 - 99 | ¥8.4556 |
| 100 - 999 | ¥7.9858 |
| 1000 + | ¥7.5161 |
¥9.3951
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.3951 |
| 10 - 99 | ¥8.4556 |
| 100 - 999 | ¥7.9858 |
| 1000 + | ¥7.5161 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4490DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.85A |
| 功率(Pd) | 1.56W |
| 编号 | C3279827 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |