| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4532CDY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；4.3A |
| 功率(Pd) | 2.78W |
| 编号 | C145447 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4532CDY-T1-GE3
¥3.2200
库存 2430 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.2200 |
| 10 - 99 | ¥2.8980 |
| 100 - 999 | ¥2.7370 |
| 1000 + | ¥2.5760 |
¥3.2200
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.2200 |
| 10 - 99 | ¥2.8980 |
| 100 - 999 | ¥2.7370 |
| 1000 + | ¥2.5760 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4532CDY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；4.3A |
| 功率(Pd) | 2.78W |
| 编号 | C145447 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |