| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4532DY |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOIC-8 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型电场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A；3.9A |
| 功率(Pd) | 900mW |
| 编号 | C889875 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4532DY
¥9.3200
库存 50 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.3200 |
| 10 - 99 | ¥8.3880 |
| 100 - 999 | ¥7.9220 |
| 1000 + | ¥7.4560 |