| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4599DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A；5.8A |
| 功率(Pd) | 3W；3.1W |
| 编号 | C141629 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4599DY-T1-GE3
¥2.5400
库存 1698 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.5400 |
| 10 - 99 | ¥2.2860 |
| 100 - 999 | ¥2.1590 |
| 1000 + | ¥2.0320 |
¥2.5400
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.5400 |
| 10 - 99 | ¥2.2860 |
| 100 - 999 | ¥2.1590 |
| 1000 + | ¥2.0320 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4599DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A；5.8A |
| 功率(Pd) | 3W；3.1W |
| 编号 | C141629 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |