| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4931DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A |
| 功率(Pd) | 1.1W |
| 编号 | C141562 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
SI4931DY-T1-GE3
¥8.7100
库存 190 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥8.7100 |
| 10 - 99 | ¥7.8390 |
| 100 - 999 | ¥7.4035 |
| 1000 + | ¥6.9680 |
¥8.7100
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥8.7100 |
| 10 - 99 | ¥7.8390 |
| 100 - 999 | ¥7.4035 |
| 1000 + | ¥6.9680 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI4931DY-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A |
| 功率(Pd) | 1.1W |
| 编号 | C141562 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |