| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI7846DP-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SO-8 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 功率(Pd) | 1.9W |
| 编号 | C2838494 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
SI7846DP-T1-GE3
¥11.6000
库存 2853 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.6000 |
| 10 - 99 | ¥10.4400 |
| 100 - 999 | ¥9.8600 |
| 1000 + | ¥9.2800 |
¥11.6000
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.6000 |
| 10 - 99 | ¥10.4400 |
| 100 - 999 | ¥9.8600 |
| 1000 + | ¥9.2800 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | SI7846DP-T1-GE3 |
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SO-8 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 功率(Pd) | 1.9W |
| 编号 | C2838494 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |