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SIDR626EP-T1-RE3

¥26.0352

库存 16517 件
数量 价格
1 - 9 ¥26.0352
10 - 99 ¥23.4317
100 - 999 ¥22.1299
1000 + ¥20.8282

产品属性 属性值
型号 SIDR626EP-T1-RE3
品牌 Vishay Semiconductors
封装 PowerPAK SO-8
描述 MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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