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SIHB105N60EF-GE3

¥23.5944

库存 8215 件
数量 价格
1 - 9 ¥23.5944
10 - 99 ¥21.2350
100 - 999 ¥20.0552
1000 + ¥18.8755

产品属性 属性值
型号 SIHB105N60EF-GE3
品牌 Vishay / Siliconix
封装
描述 MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 29 A
Rds On-漏源导通电阻 102 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 30 V, + 30 V
Pd-功率耗散 208 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 30 V, + 30 V
Qg-栅极电荷 35 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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