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SIR180ADP-T1-RE3

¥13.2662

库存 8983 件
数量 价格
1 - 9 ¥13.2662
10 - 99 ¥11.9396
100 - 999 ¥11.2763
1000 + ¥10.6130

产品属性 属性值
型号 SIR180ADP-T1-RE3
品牌 Vishay / Siliconix
封装 SOIC-8
描述 MOSFET 60V N-CHANNEL (D-S) MOS
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Id-连续漏极电流 137 A
Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 83.3 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 46.2 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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