欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

SIS406DN-T1-GE3

¥6.3506

库存 114150 件
数量 价格
1 - 9 ¥6.3506
10 - 99 ¥5.7155
100 - 999 ¥5.3980
1000 + ¥5.0805

产品属性 属性值
型号 SIS406DN-T1-GE3
品牌 Vishay / Siliconix
封装 PowerPAK-1212-8
描述 MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 30 V
Id-连续漏极电流 14 A
Rds On-漏源导通电阻 11 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 25 V, + 25 V
Pd-功率耗散 3.7 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 25 V, + 25 V
Qg-栅极电荷 28 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart