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SQJ170ELP-T1_GE3

¥8.4637

库存 10561 件
数量 价格
1 - 9 ¥8.4637
10 - 99 ¥7.6173
100 - 999 ¥7.1941
1000 + ¥6.7710

产品属性 属性值
型号 SQJ170ELP-T1_GE3
品牌 Vishay Semiconductors
封装 PowerPAK SO-8L
描述 MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Id-连续漏极电流 63 A
Rds On-漏源导通电阻 16.3 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 136 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 12 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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