产品属性 | 属性值 |
型号 | SQJQ184E-T1_GE3 |
品牌 | Vishay Semiconductors |
封装 | PowerPAK 8 x 8L |
描述 | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Id-连续漏极电流 | 430 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | – 20 V, + 20 V |
Pd-功率耗散 | 600 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | – 20 V, + 20 V |
Qg-栅极电荷 | 181 nC |
最小工作温度 | – 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
SQJQ184E-T1_GE3
¥27.8206
库存 1873 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥27.8206 |
10 - 99 | ¥25.0385 |
100 - 999 | ¥23.6475 |
1000 + | ¥22.2565 |