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SQS140ENW-T1_GE3

¥10.4186

库存 8075 件
数量 价格
1 - 9 ¥10.4186
10 - 99 ¥9.3767
100 - 999 ¥8.8558
1000 + ¥8.3349

产品属性 属性值
型号 SQS140ENW-T1_GE3
品牌 Vishay Semiconductors
封装
描述 MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 40 V
Id-连续漏极电流 214 A
Rds On-漏源导通电阻 2.53 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 197 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 38 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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