| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGB30M65DF2 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: D2PAK |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:60A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):60A 功率(Pd):258W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 功率(Pd) | 258W |
| 编号 | 编号: C2970045 |
| 圆盘 | 1000个/圆盘 |
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STGB30M65DF2
¥12.1500
无货