| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGB6NC60HDT4 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | D2PAK-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT |
| 系列 | STGB6NC60HDT4 |
| 发射极最大电压 | 600 V |
| 射极饱和电压 | 2.7 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 15 A |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
STGB6NC60HDT4
库存 1653 件
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGB6NC60HDT4 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | D2PAK-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT |
| 系列 | STGB6NC60HDT4 |
| 发射极最大电压 | 600 V |
| 射极饱和电压 | 2.7 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 15 A |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |