| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGD4M65DF2 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-252-2(DPAK) |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:8A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):8A 功率(Pd):68W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 功率(Pd) | 68W |
| 编号 | 编号: C222118 |
| 圆盘 | 2500个/卷 |
STGD4M65DF2
¥4.1300
库存 2303 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.1300 |
| 10 - 99 | ¥3.7170 |
| 100 - 999 | ¥3.5105 |
| 1000 + | ¥3.3040 |