| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGD5H60DF |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: DPAK |
| 描述 | 描述: 耐压:600V 电流:10A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):10A 功率(Pd):83W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 10A |
| 功率(Pd) | 83W |
| 编号 | 编号: C2970052 |
| 圆盘 |
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STGD5H60DF
¥3.7944
无货
¥3.7944
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGD5H60DF |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: DPAK |
| 描述 | 描述: 耐压:600V 电流:10A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):10A 功率(Pd):83W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 10A |
| 功率(Pd) | 83W |
| 编号 | 编号: C2970052 |
| 圆盘 |