| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGD6M65DF2 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-252 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:12A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):12A 功率(Pd):88W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 12A |
| 功率(Pd) | 88W |
| 编号 | 编号: C472580 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
STGD6M65DF2
¥5.0700
无货