| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGD8NC60KDT4 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | DPAK-3 (TO-252-3) |
| 描述 | IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET |
| 系列 | STGD8NC60KD |
| 发射极最大电压 | 600 V |
| 射极饱和电压 | 2.2 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 15 A |
| Pd-功率耗散 | 62 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
STGD8NC60KDT4
库存 2490 件