| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGW40H120DF2 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-247-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:80A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):468W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 468W |
| 编号 | 编号: C2971506 |
| 圆盘 | 30个/管 |
STGW40H120DF2
¥112.0500
库存 5 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥112.0500 |
| 10 - 99 | ¥100.8450 |
| 100 - 999 | ¥95.2425 |
| 1000 + | ¥89.6400 |