| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGW40M120DF3 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-247-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:80A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):468W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 468W |
| 编号 | 编号: C2970822 |
| 圆盘 | 30个/管 |
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STGW40M120DF3
¥55.9200
无货