| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGW75H65DFB2-4 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-247-4 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:115A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):115A 功率(Pd):357W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 115A |
| 功率(Pd) | 357W |
| 编号 | 编号: C3193699 |
| 圆盘 | 30个/管 |
STGW75H65DFB2-4
¥36.3720
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥36.3720 |
| 10 - 99 | ¥32.7348 |
| 100 - 999 | ¥30.9162 |
| 1000 + | ¥29.0976 |