| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGW80H65DFB |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-247S |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:120A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):120A 功率(Pd):469W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 120A |
| 功率(Pd) | 469W |
| 编号 | 编号: C457471 |
| 圆盘 | 30个/管 |
STGW80H65DFB
¥37.4900
库存 20 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥37.4900 |
| 10 - 99 | ¥33.7410 |
| 100 - 999 | ¥31.8665 |
| 1000 + | ¥29.9920 |