| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGWA20M65DF2 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | TO-247-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
| 系列 | HB2 |
| 发射极最大电压 | 650 V |
| 射极饱和电压 | 1.55 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 40 A |
| Pd-功率耗散 | 166 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
STGWA20M65DF2
¥24.5662
库存 11 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥24.5662 |
| 10 - 99 | ¥22.1096 |
| 100 - 999 | ¥20.8813 |
| 1000 + | ¥19.6530 |