| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGWT30H60DFB |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | TO-3P |
| 描述 | IGBT 晶体管 Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
| 系列 | STGWT30H60DFB |
| 发射极最大电压 | 600 V |
| 射极饱和电压 | 1.55 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 60 A |
| Pd-功率耗散 | 260 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |