| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGWT60H65FB |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 封装 | TO-3P |
| 描述 | IGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB |
| 系列 | STGWT60H65FB |
| 发射极最大电压 | 650 V |
| 射极饱和电压 | 1.6 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 80 A |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
STGWT60H65FB
¥37.2674
库存 299 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥37.2674 |
| 10 - 99 | ¥33.5407 |
| 100 - 999 | ¥31.6773 |
| 1000 + | ¥29.8139 |