| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | STGYA50H120DF2 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-247 |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:100A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):535W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 功率(Pd) | 535W |
| 编号 | 编号: C5268594 |
| 圆盘 | 30个/管 |
Sold out
STGYA50H120DF2
¥38.8500
无货