产品属性 | 属性值 |
型号 | STGYA50H120DF2 |
品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | 封装: TO-247 |
描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:100A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):535W |
IGBT类型 | 沟槽场截止 |
集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
集电极电流(Ic) | 100A |
功率(Pd) | 535W |
编号 | 编号: C5268594 |
圆盘 | 30个/管 |

Sold out
STGYA50H120DF2
¥38.8500
无货